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LCD作為現今社會(huì )各領(lǐng)域主流的顯示技術(shù)越來(lái)越受到人們的青睞。隨著(zhù)生活水平的提高，人們對液晶顯示器的顯示品質(zhì)要求越來(lái)越高。尤其是在色域和分辨率等方面，液晶顯示正在不斷被其他顯示技術(shù)如有機發(fā)光二極管(OLED)和激光顯示所超越。

為了提高液晶顯示的性能，近幾年LED 因體積小、能耗低、發(fā)熱小等優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)逐步取代傳統的冷陰極熒光燈管(CCFL)，成為新一代的液晶顯示器背光光源(LED背光）。

目前LED 背光的結構主要是利用藍光LED 去激發(fā)YAG：Ce黃色熒光粉形成白光背光源。但是YAG：Ce熒光粉發(fā)射光譜寬，導致液晶顯示器的顯示畫(huà)面色彩不夠豐富，目前普通的LED液晶電視的色域大概為70 % NTSC（美國國家電視標準委員會(huì )）。顯示器作為人機對話(huà)的窗口，其顯示品質(zhì)的好壞決定人機對話(huà)的質(zhì)量。

隨著(zhù)信息量的迅猛增長(cháng)，人們從顯示器中得到的信息不再局限于簡(jiǎn)單的文字和圖片，更多時(shí)候需要顯示出色彩絢麗的圖像和視頻，這都要求顯示器具有優(yōu)異的色彩還原能力。

量子點(diǎn)發(fā)光材料具有發(fā)光顏色尺寸可調特性以及高的色純度，將其作為L(cháng)ED的熒光轉換材料能夠有效提升LCD的顯示色域。

量子點(diǎn)（Quantum Dot）是半徑小于或接近激子波爾半徑的半導體納米晶體，由有限數目的原子組成，是一種由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素組成的準零維納米材料，其三個(gè)維度的尺寸都在1-10nm，僅相當于10-50個(gè)原子的寬度。其電子和空穴都被量子限域，連續的能帶結構變成具有分子特性的分立能級結構，受到激發(fā)后可以發(fā)射熒光。

作為一種新穎的半導體納米材料，量子點(diǎn)具有許多獨特的光學(xué)性質(zhì)，諸如發(fā)光效率高、發(fā)射光譜窄、發(fā)射光譜可調等，這些性質(zhì)都是量子點(diǎn)在顯示器件中應用的重要前提。

在這些光學(xué)性質(zhì)中，量子點(diǎn)以其非常窄的半峰寬吸引著(zhù)研究人員的眼球，被認為是“史上最好的發(fā)光材料”。

▲圖1  量子點(diǎn)材料

量子點(diǎn)發(fā)光材料的種類(lèi)繁多，半峰寬窄是保證其在背光技術(shù)中應用的一個(gè)重要前提。在量子點(diǎn)的發(fā)展過(guò)程中，以CdSe為代表的Ⅱ～Ⅵ族量子點(diǎn)研究地最早，技術(shù)也最為成熟，是目前量子點(diǎn)背光顯示技術(shù)中使用最多的材料。不過(guò)單一核結構的量子點(diǎn)材料易受到晶格缺陷和雜質(zhì)的影響，其熒光量子效率較低。

而在包覆更寬禁帶的同族量子點(diǎn)如ZnS后，熒光量子效率可以提高到90％甚至更高，且抗熒光衰減能力得到大幅增強。而且在精細的合成條件和結構的控制下，量子點(diǎn)的半峰寬可以小于30 nm，展現出了該類(lèi)材料在量子點(diǎn)背光技術(shù)中的巨大應用潛力。

然而，限制這類(lèi)材料發(fā)展的最主要因素還是Cd元素的存在，目前已經(jīng)有多個(gè)國家明確宣布限制含Cd電子產(chǎn)品的使用，2016年1月，中國頒布的《電器電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制使用管理辦法》中，Cd的含量要求低于100 ppm，因此尋求非鎘材料體系成為發(fā)展的必然趨勢。

在無(wú)Cd量子點(diǎn)材料中，以InP為代表的Ⅲ～Ⅴ族量子點(diǎn)是發(fā)展地相對最為成熟的一類(lèi)材料，該類(lèi)材料的合成工藝與CdSe量子點(diǎn)相似，2002年，取得突破性進(jìn)展，一直受到持續的關(guān)注。

與CdSe量子點(diǎn)相比，InP體系的量子點(diǎn)材料，熒光量子效率略低，一般在70%左右，在發(fā)光峰的半峰寬方面，InP量子點(diǎn)要比CdSe量子點(diǎn)寬很多，核殼結構的綠光InP/ZnS量子點(diǎn)的半峰寬為40～50 nm，紅光InP/ZnS量子點(diǎn)為～55 nm，與傳統的稀土發(fā)光材料相比，在提升液晶顯示器的色域方面優(yōu)勢不明顯。

作為一類(lèi)環(huán)境友好型的量子點(diǎn)材料，提升InP量子點(diǎn)的半峰寬和熒光量子效率是當前的主要挑戰。

量子點(diǎn)材料的好壞取決于它的制備工藝。目前全球僅有英國Nanoco、德國Nanosys、美國QD Vision和杭州納晶科技四家公司有量子點(diǎn)材料的核心專(zhuān)利，每家公司量子點(diǎn)合成方法都有其不同的技術(shù)特點(diǎn)。但目前量子點(diǎn)合成方法主要有三種：水溶液合成法、有機溶劑合成法和電場(chǎng)約束法，如圖2所示。

▲圖2 量子點(diǎn)合成方法

目前商業(yè)化的白光LED 主要是通過(guò)在氮化鎵(GaN)基藍光LED（發(fā)光峰：440-460 nm）上覆蓋一層YAG：Ce黃色熒光粉膠體層制成。但是它的發(fā)射光譜中缺少有效的紅光成份，此外，其發(fā)光峰的半峰寬大于100 nm，這對于LCD顯示色域的提高是不利的，其相關(guān)色域一般在70%左右，如圖3所示。

▲圖3 YAG：Ce熒光粉的白光LED背光技術(shù)的色域圖

量子點(diǎn)材料憑借著(zhù)其優(yōu)異的光電性能以及制備工藝的不斷成熟，已經(jīng)成為取代傳統熒光粉的研究熱點(diǎn)。

量子點(diǎn)LED在顯示領(lǐng)域的應用方案主要包括兩個(gè)方面（圖4）：

a、基于量子點(diǎn)光致發(fā)光特性的量子點(diǎn)背光源技術(shù)（QD-LCD）；

b、基于量子點(diǎn)為活性層的電致發(fā)光器件，即量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLEDs）。

QLEDs是不需要額外光源的自發(fā)光技術(shù)，其發(fā)光原理和結構與OLEDs技術(shù)類(lèi)似，量子點(diǎn)層夾在電子傳輸和空穴傳輸有機材料層之間，外加電場(chǎng)使電子和空穴移動(dòng)到量子點(diǎn)層中形成激子從而復合發(fā)射光子。

QLEDs目前尚未商品化，還處于實(shí)驗室研發(fā)階段，主要原因是量子點(diǎn)的活性層材料制備一般是采用溶液加工或印刷工藝制備。

▲圖4 （a）量子點(diǎn)背光技術(shù)和（b）QLEDs

目前，量子點(diǎn)背光技術(shù)具體應用有三種方式（圖6）：

(1)On-chip，量子點(diǎn)直接取代熒光粉的白光LED；

(2)On-edge，量子點(diǎn)導軌；

(3)On-surface，量子點(diǎn)增強發(fā)光薄膜。

從(1)到(3)量子點(diǎn)的消耗量越來(lái)越多，距離發(fā)光源也越來(lái)越遠。

▲圖5 三種量子點(diǎn)背光技術(shù)

（1）On-chip

“芯片封裝型”(On-chip)，如圖6所示，在這種結構中，量子點(diǎn)發(fā)光材料直接替代傳統的熒光粉材料封裝在貼片藍光LED中，即量子點(diǎn)白光LED，再根據液晶背光模組的尺寸焊接制成LED背光燈條。

這種結構的優(yōu)勢在于量子點(diǎn)發(fā)光材料的用量非常小，成本低，與目前的白光LED封裝技術(shù)的工藝兼容。

然而，這種結構對量子點(diǎn)材料的穩定性要求非常高。一般藍光LED芯片，正常工作時(shí)發(fā)光芯片與支架之間的結溫在85～120 ℃，再加上量子點(diǎn)發(fā)光材料自身在光轉換過(guò)程中釋放的部分熱能，實(shí)際情況下，量子點(diǎn)發(fā)光材料需要在～150 ℃的溫度下長(cháng)期保持正常的發(fā)光性能。

此外，一個(gè)1 W的藍光LED芯片的輻射光功率密度為～60 W/cm2，即量子點(diǎn)發(fā)光材料除了需要具備高的熱穩定性之外，還需要具備高的光穩定性，這對于目前的量子點(diǎn)發(fā)光材料而言，仍然是需要克服的巨大挑戰。

▲圖6 量子點(diǎn)On-chip封裝結構

（2）On-edge

“量子點(diǎn)導軌”(On-edge)，如圖7所示，先將量子點(diǎn)材料封裝成長(cháng)條狀，然后置于藍光LED燈條和導光板的側邊，一方面能夠降低藍光LED的熱輻射和光輻射對量子點(diǎn)發(fā)光材料的影響，另一方面還能夠減少實(shí)際應用中量子點(diǎn)發(fā)光材料的消耗量。

從理論而言，“量子點(diǎn)導軌”結構也是量子點(diǎn)背光技術(shù)最具應用潛力的應用方式之一。但是現有的量子點(diǎn)導軌技術(shù)存在發(fā)光效率低以及不利于組裝操作的問(wèn)題。

▲圖7 量子點(diǎn)on-edge封裝結構

（3）On-surface

“量子點(diǎn)增強發(fā)光薄膜”(On-surface)，如圖8所示，量子點(diǎn)發(fā)光材料制成光學(xué)膜以遠程封裝的形式應用到液晶背光模組中，量子點(diǎn)材料制成的光學(xué)膜位于液晶背光模組中導光板的正上方。

藍光LED先制成背光燈條置于液晶背光模組的側邊，LED背光燈條發(fā)出的藍光經(jīng)過(guò)導光板和反射膜的協(xié)同作用形成了均勻的藍光面光源，藍光面光源再激發(fā)光學(xué)膜中的量子點(diǎn)材料發(fā)出綠光和紅光，進(jìn)而混合形成白光背光源。

在這種結構中，量子點(diǎn)發(fā)光材料受到來(lái)自藍光LED芯片的熱輻射影響大幅降低，加上導光板對藍光的均勻分布作用，量子點(diǎn)發(fā)光材料需要承受的光輻射也只有1～10 mW/cm2，現有的量子點(diǎn)發(fā)光材料完全能夠滿(mǎn)足應用要求。

只是在這種結構中，隨著(zhù)液晶背光模組尺寸的增大，量子點(diǎn)發(fā)光材料的消耗量大，帶來(lái)的直接后果是工程應用成本高。

因此，在“量子點(diǎn)增強發(fā)光薄膜”背光應用結構中，量子點(diǎn)光學(xué)膜的大面積制備成本高是限制其大規模應用的重要原因之一。目前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的量子點(diǎn)電視主要是基于on-surface方式。

▲圖8 量子點(diǎn)on-surface封裝結構

無(wú)論量子點(diǎn)是封在LED支架里(On-chip)、封在玻璃管放在顯示器旁邊(On-edge)，還是做成一層薄膜放在液晶背光模組里(On-surface)，要想實(shí)現商業(yè)化就必須解決成本和穩定性?xún)纱髥?wèn)題。

目前已經(jīng)實(shí)現商業(yè)化的量子點(diǎn)薄膜，其成本主要由量子點(diǎn)材料和阻隔層兩部分組成。對55寸液晶電視而言，一張量子點(diǎn)增強發(fā)光薄膜的售價(jià)是100美元，而量子點(diǎn)材料也非常昂貴，一克的價(jià)格可高達數千美元，是黃金價(jià)格的百倍以上。

即使量產(chǎn)水準的量子點(diǎn)，價(jià)格也普遍在30美元以上，仍然比KSF、β-sialon和YAG熒光粉貴很多。因此如何降低量子點(diǎn)材料的成本也是產(chǎn)業(yè)面臨的主要問(wèn)題。

針對成本和穩定性?xún)纱髥?wèn)題，本課題組結合白光LED封裝結構進(jìn)行優(yōu)化設計，對LED封裝支架和量子點(diǎn)混合膠體進(jìn)行氣密性封裝，有效提升了量子點(diǎn)On-chip封裝的白光LED的發(fā)光穩定性。

如圖9所示，從中可以看出三基色光譜中有部分雜峰出現，對于藍色光譜有較強的綠光成分，主要原因是LCD的濾光片在紅綠藍三基色的透射光譜中藍色濾光片與綠色濾光片的透射光譜有部分重疊（圖10），經(jīng)測試分析其色域可達110%（圖11），圖12表示基于量子點(diǎn)On-chip白光LED的背光模組及其LCD的顯示畫(huà)面效果（圖13）。

▲圖9 量子點(diǎn)On-chip白光LED背光技術(shù)的

LCD的紅綠藍三基色發(fā)射光譜

▲圖10 紅綠藍濾光片的透射光譜

▲圖11 量子點(diǎn)On-chip白光LED背光技術(shù)的色坐標

▲圖12 量子點(diǎn)On-chip白光LED背光模組

▲圖13量子點(diǎn)On-chip白光LED背光技術(shù)的LCD顯示